[发明专利]用于改善SOI衬底表面损伤的方法

摘要

本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面热氧化生成掩蔽氧化层，温度为850±10℃，时间为30±1分钟，掩蔽氧化层的厚度为15±1nm；（2）向掩蔽氧化层注入元素Ar，注入能量为200±2keV，注入剂量为1×1015±0.05×1015；（3）将SOI衬底分别采用常规3#和1#清洗液进行清洗；（4）退火：将SOI衬底在纯氮气气氛下进行退火，退火温度为950±5℃，时间为30±1分钟；（5）重复步骤（2）～步骤（4）的操作10～20次；（6）将SOI衬底在质量百分浓度为0.5%～10%的氢氟酸中漂洗2～10分钟，去除掩蔽氧化层；再在清水中漂洗干净后甩干。本发明能够降低注入对衬底的损伤，改善衬底沾污和损伤问题。

主权项

一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）牺牲氧化：在SOI衬底上表面热氧化生成掩蔽氧化层，温度为850±10℃，时间为30±1分钟，掩蔽氧化层的厚度为15±1 nm； （2）加固注入：向掩蔽氧化层注入元素Ar，注入能量为200±2 keV，注入剂量为1×1015±0.05×1015；（3）清洗：将SOI衬底分别采用常规3#和1#清洗液进行清洗，3#清洗液的清洗温度为100±2 ℃，清洗时间为10±1分钟，1#清洗液的清洗温度为70±2℃，清洗时间为10±1分钟；3#清洗液由H2SO4和H2O2按质量比3:1混合得到，1#清洗液由NH3H2O、H2O2和H2O按质量比为1:1:5混合得到； （4）退火：将SOI衬底在纯氮气气氛下进行退火，退火温度为950±5℃，时间为30±1分钟； （5）重复步骤（2）～步骤（4）的操作10～20次； （6）将SOI衬底在质量百分浓度为0.5%～10%的氢氟酸中漂洗2～10分钟，去除掩蔽氧化层；再在清水中漂洗干净后甩干。