[发明专利]一种三氯氢硅中杂质砷的测定方法在审
| 申请号： | 201310720900.9 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103645241A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘英杰;郑华荣;柯尊斌 | 申请（专利权）人： | 南京中锗科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三氯氢硅中杂质砷的测定方法，在惰性气体保护的密闭处理装置中量取15ml三氯氢硅样品，置于铂金坩埚中，30℃低温加热至样品蒸干，加入0.1~0.3mL电子级双氧水，再加入1mL电子级氢氟酸，升温至150℃，待样品蒸发至干，用3mL体积分数为1%的硝酸将杂质砷浸出，测定三氯氢硅样品溶液中砷的含量；在三氯氢硅样品前处理过程中，于30℃低温下，将三氯氢硅样品基体挥发除尽后，再加入电子级双氧水，可以防止直接将双氧水加入样品时产生剧烈反应及大量水解物的产生，同时又将三价砷转化成不易挥发的五价砷化合物，测定结果中砷的回收率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅中 杂质 测定 方法 | ||
【主权项】：
一种三氯氢硅中杂质砷的测定方法，其特征在于：在惰性气体保护的密闭处理装置中量取15ml三氯氢硅样品，置于铂金坩埚中，30℃低温加热至样品蒸干，加入0.1~0.3mL电子级双氧水，再加入1mL电子级氢氟酸，升温至150℃，待样品蒸发至干，用3mL 体积分数为1%的硝酸将杂质砷浸出，测定三氯氢硅样品溶液中砷的含量。
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