[发明专利]一种高速半导体激光器以及芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种高速半导体激光器以及芯片的制作方法，高速半导体激光器的制作方法为：在脊波导结构一次外延生长层上PECVD生长一层SiO₂层，SiO₂层上再涂敷一层BCB，在BCB层上接着PECVD生长一层SiN层，在该SiN层涂敷一层光刻胶，曝光显影后形成图形，利用光刻胶做掩蔽，RIE依次刻蚀SiN、BCB和SiO₂层，露出电极接触窗口。高速半导体激光器芯片制作方法：在P-InP顶层上PECVD生长SiO₂层；在SiO₂层上继续涂覆BCB，接着进行钝化；在BCB层上继续PECVD生长SiN层，完成脊型波导的光刻，并在脊上用RIE刻蚀SiN、BCB、SiO₂层，开电流注入窗口；完成P面电极制作；将外延片减薄后，完成N面电极制作。

主权项

一种高速半导体激光器的制作方法，其特征在于，在脊波导结构一次外延生长层上PECVD生长一层SiO₂层，SiO₂层上再涂敷一层BCB，在BCB层上接着PECVD生长一层SiN层，在该SiN层涂敷一层光刻胶，曝光显影后形成图形，利用光刻胶做掩蔽， RIE依次刻蚀SiN、BCB和SiO₂层，露出电极接触窗口。