[发明专利]采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201310720981.2 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103745994A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;郑理;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法。所述采用石墨烯的场效应晶体管包括：衬底、金属源极、金属漏极、石墨烯沟道层、底栅、顶栅、以及顶栅电极。在制备底栅和顶栅的步骤中利用原子层沉积工艺并借助其侧向导入前驱体的特性，在所述石墨烯沟道层的两个表面同时形成底栅和顶栅，所述底栅设置在所述石墨烯沟道层、衬底、金属源极和金属漏极限定而成的空间内，并与所述石墨烯沟道层的表面贴合，所述顶栅设置在与石墨烯沟道层设置底栅的表面相对的另一表面上。本发明的优点在于，巧妙了的利用了原子层沉积工艺的侧向导入前驱体的特性，在已经生长了石墨烯沟道层的前提下，仍然可以采用简单的工艺同时获得底栅和顶栅。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种采用石墨烯的场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；金属源极和金属漏极，所述金属源极和金属漏极设置在所述衬底表面，两者之间具有一间隙；石墨烯沟道层，所述石墨烯沟道层搭接在金属源极和金属漏极之间的间隙处；底栅，所述底栅设置在所述石墨烯沟道层、衬底、金属源极和金属漏极限定而成的空间内，并与所述石墨烯沟道层的表面贴合；顶栅，设置在与石墨烯沟道层设置底栅的表面相对的另一表面上；顶栅电极，设置在顶栅表面上。
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