[发明专利]一种背接触晶体硅电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201310721710.9 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103746011B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李鸿儒;兰立广;童翔 | 申请（专利权）人： | 北京汉能创昱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 102209 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背接触晶体硅电池，包括硅基底（1），所述硅基底（1）包括硅基底非受光面（101）；位于所述硅基底非受光面（101）的PN掺杂区（2），所述PN掺杂区（2）包括位置交替排列的表面具有汇流导电带的P型区（201）和N型区（202），其中，沿所述每条P型区（201）或N型区（202）的延伸方向，相邻条之间存在距离差，所述相邻条之间的第一条沿所述延伸方向，超出第二条之外的部分作为所述第一条的边缘条；所述边缘条为P型区边缘条（203）或N型区边缘条（204）；所述边缘条作为电极引出部。本发明还提供所述背接触晶体硅电池的制作方法，避免了开孔步骤和电极副栅末端与主栅之间保留必要的间隙，简化了制作工艺并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 晶体 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种背接触晶体硅电池，包括硅基底(1)，所述硅基底(1)包括硅基底非受光面(101)；位于所述硅基底非受光面(101)的PN掺杂区(2)，所述PN掺杂区(2)包括位置交替排列的表面具有汇流导电带的P型区(201)和N型区(202)，其特征在于，沿每条P型区(201)或N型区(202)的延伸方向，相邻条之间存在距离差，所述相邻条之间的第一条沿所述延伸方向，超出第二条之外的部分作为所述第一条的边缘条；所述边缘条为P型区边缘条(203)或N型区边缘条(204)；所述边缘条作为电极引出部；所述P型区(201)和N型区(202)相邻条的侧面紧密接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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