[发明专利]一种提高器件耐压能力的半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201310721711.3 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103887325A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;王珏;谢刚 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高器件耐压能力的半导体装置，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率的晶体管。本发明的半导体装置靠近漏极部分的III族氮化物层通过一种刻蚀方法进行刻蚀，并且衬底在刻蚀的部位进行一种相反导电类型的掺杂。当器件承受高压时，耗尽区范围增大，进而提高器件耐压能力。由体电场调制到表面电场，提高器件纵向耐压能力的同时提高横向耐压能力，进而提高器件的整体耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 器件 耐压 能力 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高器件耐压能力的半导体装置，其特征在于：一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极漏极电极形成欧姆接触；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述栅极电极形成肖特基接触。
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