[发明专利]一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺无效
| 申请号： | 201310721765.X | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103746029A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 任春兰;田治龙;曲岩;葛瑞丽;何晓玢 | 申请（专利权）人： | 宁夏银星能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺。其特点是，包括如下步骤：（1）将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体，硅片数量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反应气体CF4和O2，控制CF4流量在190-210sccm，O2流量25-35sccm，直至工作压力达到200-220psig；（4）辉光放电，气体反应；（5）再次抽真空，然后恢复常压；（6）打开腔体门，取出夹具，卸片即可。本发明提供了一种物理冶金法单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺，适用于125×125mm物理冶金法单晶硅太阳能电池，采用该工艺可以去除扩散后硅片边缘的短路环，使刻蚀后的硅片符合工艺要求，杜绝过刻或刻不透。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 太阳能电池 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体，硅片数量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反应气体CF4和O2，控制CF4流量在190‑210sccm，O2流量25‑35sccm，直至工作压力达到200‑220psig；（4）辉光放电，气体反应；（5）再次抽真空，然后恢复常压；（6）打开腔体门，取出夹具，卸片即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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