[发明专利]一种半导体功率器件的结构

摘要

本发明公开了一种栅控晶体管与FRD集成在同一芯片的器件结构，FRD部份有以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2μm，表面浓度为1×10¹⁵/cm³至1×10¹⁸/cm³，在表面处约0.2μm至2.0μm之下至少有两个独立浮动n+型层，n+型层与n+型层之间的距离大于0.1μm，浓度小于5×10¹⁹/cm³，在n+型层之上有表面浓度大于1×10¹⁸/cm³并与表面金属相接触的p+型层；栅控晶体管部份有以下特征：在p型区中附加一n型区，把靠近接触孔的部份p型区与原来p型区之下的n型区隔离开。

主权项

1.一种半导体功率器件的结构包括以下部分：(1)有源区和终端区；(2)有源区至少由一种栅控型晶体管单元组成；单元的表面结构包含以下部分：(i)至少有一条沟槽，沟槽宽度范围为0.2μm至3.0μm，深度为1μm至10μm，沟槽内壁附有氧化层并填入导电材料，沟槽与沟槽之间的距离大于0.8μm；(ii)p型基区，沟槽与沟槽之间最少有部份区域为p型区，p型区的深度大于1μm，p型区表面浓度为1e15cm‑3至1e18cm‑3，p型区之下有FZ n型区；(iii)至少在部份p型区中有附加一独立浮动的n型区，沟槽连同附加n型区把靠近接触孔的部份p型区与原来p型区之下的n型区隔离开，附加n型区的浓度为1e16cm‑3至5e19cm‑3；(iv)n+发射区，表面浓度为1e18cm‑3至1e20cm‑3；(v)p+区，表面浓度为1e17cm‑3至1e20cm‑3；(vi)接触孔；(vii)层间介质；(viii)表面金属层和(ix)钝化层。