[发明专利]PECVD镀膜装置的电极结构有效
| 申请号： | 201310722398.5 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103741120A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吕旭东;陈立国;李海燕;张受业;陈伟岸;贺艳;赵萌;朱惠钦 | 申请（专利权）人： | 北京北印东源新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 101407 北京市怀柔*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种PECVD镀膜装置的电极结构。该PECVD镀膜装置的电极结构包括：第一电极对，第一电极对包括相对设置的第一电极辊和第二电极辊，第一电极辊内设置有第一内磁路，第二电极辊内设置有第二内磁路；第二电极对，第二电极对的两个电极的中心连线与第一电极辊和第二电极辊的中心连线相互垂直并对称布置。本发明所提供的PECVD镀膜装置的电极结构，能够降低放电电压，较大程度避免误放电，降低能源消耗并提升膜面质量。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 镀膜 装置 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种PECVD镀膜装置的电极结构，其特征在于，包括：第一电极对，所述第一电极对包括相对设置的第一电极辊和第二电极辊，所述第一电极辊内设置有第一内磁路，所述第二电极辊内设置有第二内磁路；第二电极对，所述第二电极对的两个电极的中心连线与所述第一电极辊和第二电极辊的中心连线相互垂直并对称布置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北印东源新材料科技有限公司，未经北京北印东源新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310722398.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
