[发明专利]一种单晶硅太阳能电池片去除磷硅玻璃的工艺

摘要

本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片去除磷硅玻璃的工艺，用于去除扩散后在硅片表面形成的磷硅玻璃。其特点是，包括如下步骤：（1）将槽式去PSG清洗机6个槽中的杂质清除；（2）向1#酸槽注入纯水100L，然后加入16L质量浓度49%的电子纯氢氟酸，再注入30L纯水，最终得到氢氟酸溶液；向2#快排槽、3#槽、4#槽、5#槽、6#槽注满纯水；（3）将装好硅片的提篮放入去磷硅玻璃清洗机上料口；（4）运行槽式去PSG清洗机；（5）结束后取出提篮，快速放入甩干机内，甩干。本发明可以去除硅片扩散过程中形成的磷硅玻璃，使去PSG后的硅片符合工艺要求，避免硅片表面出现亲水现象，提升扩散后的少子寿命。

主权项

一种单晶硅太阳能电池片去除磷硅玻璃的工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将槽式去PSG清洗机6个槽中的杂质清除，用纯水将各槽壁冲洗干净；（2）向1#酸槽注入纯水100L，然后加入16L质量浓度49%的电子纯氢氟酸，再注入30L纯水，最终得到氢氟酸溶液，该1#酸槽槽体容积150L；向2#快排槽、3#槽、4#槽、5#槽、6#槽注满纯水，其槽体容积均为150L；（3）将装好硅片的提篮放入去磷硅玻璃清洗机上料口；（4）运行槽式去PSG清洗机，去除硅片表面的磷硅玻璃；（5）结束后取出提篮，快速放入甩干机内，甩干后从提篮中取出花篮，再从花篮中抽取硅片。