[发明专利]一种改进的差分架构XPM存储单元无效
| 申请号： | 201310723037.2 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103680631A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李力南;翁宇飞;姜伟;张其笑 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的差分架构XPM存储单元，包括两条支路，所述每条支路包括MOS场效应晶体管和MOS数据存储元件，所述MOS场效应晶体管栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为MOS管的源极和漏极，所述MOS数据存储元件有一个导电结构即所述MOS管的栅极，导电结构下面的一层超薄介质，导电结构下面的第1掺杂半导体区。本发明采用差分架构，有效的扩大了读操作时的可区分电流，采用对称差分架构，存储单元的支路阻抗匹配更好，稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 架构 xpm 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种改进的差分架构XPM存储单元，其特征在于，包括两条支路，所述每条支路包括MOS场效应晶体管和MOS数据存储元件，所述MOS场效应晶体管栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为MOS管的源极和漏极，所述MOS数据存储元件有一个导电结构即所述MOS管的栅极，导电结构下面的一层超薄介质，导电结构下面的第1掺杂半导体区。
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