[发明专利]在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法无效
| 申请号： | 201310723739.0 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103646865A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。该方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。 | ||
| 搜索关键词： | ge 衬底 制备 超薄 氧化 界面 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，包括：步骤1：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；步骤2：将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；步骤3：将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；步骤4：利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310723739.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：宽轨距电机车走行装置
- 下一篇：电网调蓄节能缆梯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
