[发明专利]一种或非型闪存的浮栅的制作方法有效
| 申请号： | 201310724092.3 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752356B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;于法波;许毅胜;刘钊;冯骏 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种或非型闪存的浮栅的制作方法，包括：在衬底上依次形成隧道氧化层、第一浮栅层和绝缘层；形成浅沟槽隔离、隧道氧化层结构、第一浮栅层结构和绝缘层结构，其中所述浅沟槽隔离延伸进入所述衬底中；去除所述绝缘层结构，露出浅沟槽隔离的第一部分；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；以及在所述第一浮栅层结构上形成第二浮栅层结构，所述第一浮栅层结构和所述第二浮栅层结构构成所述或非型闪存的浮栅。本发明能够有效地平衡浅沟槽隔离的填充和浮栅的填充这对矛盾的工艺，改善了浅沟槽隔离与隧道氧化层接触的边缘位置隧道氧化层变薄，并且得到与现有技术一样的ONO电容的耦合率，从而提高了或非型闪存的良品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离 浮栅层 或非型闪存 隧道氧化层 浮栅 绝缘层结构 衬底 去除 填充 绝缘层 边缘位置 良品率 有效地 耦合率 变薄 制作 平衡 延伸 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种或非型闪存的浮栅的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成隧道氧化层、第一浮栅层和绝缘层；形成浅沟槽隔离、隧道氧化层结构、第一浮栅层结构和绝缘层结构，其中所述浅沟槽隔离延伸进入所述衬底中；去除所述绝缘层结构，露出浅沟槽隔离的第一部分；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；以及在所述第一浮栅层结构上形成第二浮栅层结构，所述第一浮栅层结构和所述第二浮栅层结构构成所述或非型闪存的浮栅；其中，所述第二浮栅层结构的厚度与其横向宽度的比值为0.75至1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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