[发明专利]NOR型内容可寻址存储器

摘要

本发明提供一NOR型内容可寻址存储器，包括若干内核单元，所述内核单元又包括比较单元、读写单元和数据存储单元，其中，数据存储单元包括两个半浮栅晶体管，该半浮栅晶体管通过改变自身阈值电压存入数据位。本发明不但简化了现有技术中基于SRAM的内容可寻址存储器单元的结构复杂，而且实现了二元型内容可寻址存储器和三元型内容可寻址存储器之间的灵活切换。

主权项

一种NOR型内容可寻址存储器，其特征在于，所述内容可寻址存储器包括若干内核单元，所述内核单元包括比较单元、读写单元和数据存储单元，其中，所述比较单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管和第三晶体管串联，第二晶体管和第四晶体管串联，第一晶体管和第二晶体管的栅极分别接一对互补的搜寻信号，第一电极连接匹配线，第一晶体管的第二电极连接第三晶体管的第一电极，第二晶体管的第二电极连接第四晶体管的第一电极，第三晶体管和第四晶体管的第二电极连接公共接地端；所述读写单元包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管和第六晶体管的栅极接字线，第一电极分别接第一位线和第二位线，所述第五晶体管的第二电极接所述第三晶体管的栅极，所述第六晶体管的第二电极接所述第四晶体管的栅极；所述数据存储单元包括第七晶体管和第八晶体管，所述第七晶体管和第八晶体管控制栅极接第一布线，漏极分别接第二布线和第三布线，第七晶体管的源极接第五晶体管的第二电极，第八晶体管的源极接第六晶体管的第二电极，其中，所述第七晶体管和第八晶体管除控制栅极、源极掺杂区、漏极掺杂区外，还包括半浮栅，通过在半浮栅上注入电荷可以改变第七晶体管和第八晶体管的阈值电压，调控沟道的导电性，所述第七晶体管和第八晶体管通过改变自身阈值电压存入数据位。