[发明专利]绝缘栅双极晶体管的源区结构在审
| 申请号： | 201310724340.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752495A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 戚丽娜;张景超;刘利峰;赵善麒;王晓宝 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所32211 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源区注入区时，经源区电阻区后再通过接触孔引出区流出。本发明能对绝缘栅双极晶体管短路电流能力和抗闩锁能力同时进行调整，并能简化工艺降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，其特征在于：在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源区注入区时，先经源区电阻区后再通过接触孔引出区流出。
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