[发明专利]半导体集成电路及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括高侧开关元件、低侧开关元件和控制器，其中可以经由去耦合电感器向所述高侧开关元件的一端供应输入电压，所述高侧开关元件的另一端和所述低侧开关元件的一端耦合到切换节点，并且所述低侧开关元件的另一端可以耦合到接地电势，其中所述控制器可以驱动所述高侧开关元件处于导通状态和关断状态，其中所述切换节点可以耦合到包括平滑电感器和平滑电容器的低通滤波器，其中去耦合电容器可以耦合于所述高侧开关元件的所述一端与所述接地电势之间，其中所述高侧开关元件包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的电流路径并联耦合于所述高侧开关元件的所述一端与所述高侧开关元件的所述另一端之间，其中在将所述高侧开关元件的所述一端与所述高侧开关元件的所述另一端之间的状态从导通状态改变成关断状态时，所述控制器通过相对于所述第一晶体管延迟所述第二晶体管来控制所述第二晶体管从所述导通状态到所述关断状态，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管被形成为在半导体芯片以内被划分成多个部分，并且其中在所述半导体芯片以内在所述第一晶体管和所述第二晶体管的布置方向上交替地布置通过划分所述第一晶体管而形成的多个部分第一晶体管和通过划分所述第二晶体管而形成的多个部分第二晶体管。