[发明专利]一种双面显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201310726020.2 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752461B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王磊;卜维亮;李南征 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明所述的一种双面显示装置,在同一像素单元中设置出光面相反的两个有机发光二极管,在保证高像素分辨率、解析度的情况下,能实现双面显示效果。本发明所述的一种双面显示装置的制备方法,通过在同一像素单元中同时制备出光面相反的两个有机发光二极管即可显示双面显示,不但制备工艺简单,而且可实现高分辨率和高解析度,有效降低了双面显示装置的制备成本,提高了双面显示装置的显示品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 显示装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面显示装置,包括基板、设置在所述基板上的若干像素单元,其特征在于,所述像素单元包括同层设置的第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,所述第一有机发光二极管包括第一像素电极、第一有机发光层和第一像素对电极,所述第二有机发光二极管包括第二像素电极、第二有机发光层和第二像素对电极;所述第一像素电极和所述第二像素对电极为反射电极,所述第一像素对电极和所述第二像素电极为透射电极;所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管色坐标相同;所述像素单元还包括薄膜晶体管,所述第一像素电极和所述第二像素电极分别与同一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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