[发明专利]一种聚合物基纳米复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201310726237.3 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103709779A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王娜;邱亚娟 | 申请（专利权）人： | 天津一诺电子产品销售有限公司 |
| 主分类号： | C08L101/00 | 分类号： | C08L101/00;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300270 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种聚合物基无机纳米复合材料的制备方法，属于纳米无机复合材料的制备技术领域。将蒙脱土置于反应器中加入有机硅烷剂加热至80-100℃，熔融混合60min左右，使有机硅烷剂进入到蒙脱土层间，将物料打碎，得到有机化的蒙脱土。再将有机化的蒙脱土与聚合物在熔融状态下共混插层，得到聚合物-无机纳米复合材料。本发明用有机硅烷作原料，使之能更好的插入蒙脱土层间，反应设备简单，成本低，易于工厂的规模化生产。该材料在物理学，生物学等方面有着良好的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚合物基无机纳米复合材料的制备方法，其特征在于将蒙脱土置于反应釜中加入有机硅烷剂加热至80‑100℃，熔融混合60min左右，使有机硅烷剂进入到蒙脱土层间，将物料打碎，得到有机化的蒙脱土。再将有机化的蒙脱土与聚合物在熔融状态下共混插层，得到聚合物‑无机纳米复合材料。
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