[发明专利]测定非晶体固体电解质界面膜的厚度的拉曼光谱方法在审
申请号: | 201310726327.2 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104748690A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 水泽厚志;陈瑞 | 申请(专利权)人: | 远景能源(江苏)有限公司 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 刘彬 |
地址: | 214443 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及测量非晶体固体电解质界面(SEI)膜的厚度的方法。具体而言,本发明提供了一种利用激光拉曼光谱仪测量基体表面上SEI膜厚度的方法,该方法使用测量激光来测量拉曼光谱,使用消融激光来烧灼SEI膜,根据从所得拉曼光谱推导出的完全消融时间Tc和消融速率V来计算出SEI膜厚度H。 | ||
搜索关键词: | 测定 非晶体 固体 电解质 界面 厚度 光谱 方法 | ||
【主权项】:
一种使用激光拉曼光谱仪来测量基体表面的非晶体固体电解质界面(SEI)膜的厚度的方法,其包括:i.在将所述SEI膜开始暴露于消融激光的至少两个不同的时间点处,分别使用测量激光测量在该时间点处所述SEI膜的拉曼光谱;ii.根据i中得到的拉曼光谱和预先测定的所述基体未形成SEI膜时使用所述测量激光测定的拉曼光谱的谱线,推导出所述消融激光将所述SEI膜完全消融所需的时间Tc;并iii.根据时间Tc和膜消融速率V,计算出所述SEI膜的厚度H,其中H=V×Tc。
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