[发明专利]安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法

摘要

本发明涉及安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法。本发明用于在MCU运行的过程中对外部SRAM进行数据存储和数据诊断，MCU首先将基础数据写入CPLD，CPLD将所述基础数据处理成另一差异性数据，在MCU的写信号控制下将所述基础数据写入一片SRAM中，将所述差异性数据写入另一片SRAM中；CPLD在接收到MCU的读信号时，将两个数据从两片SRAM中读入到CPLD中，进行数据诊断，如果数据诊断无错误，则将所述基础数据送入MCU，否则产生报警信号。本发明具备了存储和诊断的两种功能，不仅能够实时的对数据进行存储和诊断，还能诊断出SRAM软故障引起的故障失效，而且主控制器运行开销比较小，主控制器利用率比较高。

主权项

一种安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法，其特征在于，用于在MCU运行的过程中对外部SRAM进行数据存储和数据诊断，包括以下步骤：MCU首先将基础数据写入CPLD，CPLD将所述基础数据处理成另一差异性数据，在MCU的写信号控制下将所述基础数据写入一片SRAM中，将所述差异性数据写入另一片SRAM中；CPLD在接收到MCU的读信号时，将两个数据从两片SRAM中读入到CPLD中，进行数据诊断，如果数据诊断无错误，则将所述基础数据送入MCU；否则产生报警信号；所述两片SRAM共用地址总线，数据总线分开。