[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件的制造方法。首先,在衬底上形成介电层,所述介电层包括第一部分与第二部分,第一部分邻接于衬底，第二部分邻接于第一部分。接着，以三氟化氮处理介电层，移除介电层的第二部分，暴露出介电层的第一部分。另外本发明还提供了一种以该方法制造的半导体元件。通过本发明的半导体元件的制造方法，可有效移除介电层的表面缺陷，大幅降低介电层表面的粗糙度,以及增进薄膜堆叠间的粘合度。换言之，本发明的半导体元件可形成表面缺陷少、粗糙度低以及与其他材料层之间的粘合度高的介电层，以大幅提升元件的效能。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成一介电层，该介电层包括第一部分与第二部分，该第一部分邻接于该衬底，该第二部分邻接于该第一部分；以及以三氟化氮处理该介电层，移除该介电层的该第二部分，暴露出该介电层的该第一部分。