[发明专利]低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统有效
| 申请号： | 201310728592.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681244A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张隆贤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在基板上从下至上依次生长缓冲层和非晶硅层；步骤二：加热所述非晶硅层使之温度高于室温，并对所述非晶硅层进行预清洗；步骤三：采用准分子激光束照射步骤二预清洗后的非晶硅层，使所述非晶硅转化为多晶硅。本发明还提供这种多晶硅薄膜的制作系统。本发明通过对低温多晶硅薄膜制作系统、预清洗方法进行改进，改善非晶硅层厚度不均匀的状态，从而提高后续步骤中ELA照射转化形成多晶硅薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 清洗 方法 及其 制备 制作 系统 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的预清洗方法，其特征在于：其包括加热一非晶硅层使之温度高于室温，并对所述非晶硅层进行预清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310728592.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法
- 下一篇：一种发光强度检测标准灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
