[发明专利]一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法有效
申请号: | 201310728903.7 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103811364B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 王元;程伟;赵岩;牛斌;刘海琪;陈征 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法,包括以下步骤1)在磷化铟(InP)衬底上光刻一次布线图形,通过蒸发金属并进行剥离,实现一次布线金属图形化;2)旋涂BCB(Benzocyclobutene),并在氮气氛围下采用高温方式使其固化;3)在固化后的BCB上光刻互联通孔图形,以光刻胶为掩膜,通过干法刻蚀实现BCB通孔的图形化,最终通过电镀的方式实现多层金属的互联;4)光刻二次布线图形,通过电镀方式实现互联通孔的填充及二次互联图形的金属化,实现不同金属层之间的互联。优点可增加多层互联的可靠性,提高对不同厚度的BCB多层互联工艺的适应性,降低InP基微波电路的互联损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 基于 bcb 磷化 微波 电路 多层 方法 | ||
【主权项】:
一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法,其特征是该方法包括以下步骤:1)在磷化铟(InP)衬底上光刻一次布线图形,通过蒸发金属并进行剥离,实现一次布线金属图形化;2)旋涂BCB(Benzocyclobutene),并在氮气氛围下采用高温方式使其固化;3)在固化后的BCB上光刻互联通孔图形,以光刻胶为掩膜,采用干法刻蚀方法刻蚀掉一次布线金属上的BCB,形成BCB互联通孔;4)去除用于通孔刻蚀的掩膜光刻胶,并重新光刻二次布线图形;5)通过电镀方式实现互联通孔的金属填充及二次互联图形的金属化,最终实现不同金属层之间的互联;所述的步骤1)在磷化铟(InP)衬底上采用光刻一次布线图形,通过蒸发金属Ti/Pt/Au并进行剥离,实现一次布线金属图形化,其中光刻工艺所采用的光刻胶为AZ7908,发射极金属为钛/铂/金(Ti/Pt/Au),Ti的厚度为40纳米,Pt的厚度为40纳米,Au的厚度为500纳米;所述的步骤2)在涂胶机上旋涂BCB,旋涂转速为1000 rpm,完成旋涂后在充满氮气氛围的烘箱内将其在150℃下烘烤20min使BCB固化;所述的步骤3)在固化后的BCB上采用AZ7908光刻胶实现互联通孔图形的光刻,刻蚀气体为四氟化碳CF4,气体流量为50sccm,刻蚀速率为200nm/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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