[发明专利]一种等离子体刻蚀方法和系统

摘要

本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。

主权项

1.一种等离子体刻蚀系统，其特征在于，至少包括，射频源、离子发生器、直流电源和反应腔室，所述反应腔室内设置有相对放置的第一电极和第二电极，在所述第一电极上放置有待刻蚀的基底，所述射频源连接在所述第一电极上，所述离子发生器与所述反应腔室连接，所述离子发生器用于产生预定导电类型电荷的离子，所述预定导电类型电荷的离子用于中和等离子体刻蚀过程中附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷，所述直流电源连接在所述第二电极上，用于在第二电极和第一电极之间形成直流电场，形成的所述直流电场用于将预定导电类型电荷的离子推向基底表面和/或刻蚀图形的内部。