[发明专利]一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法及其结构

摘要

一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法及其结构，制造方法是将生长衬底上生长的外延层分成多个芯片，并将每个芯片分成多个独立的子单元，制备子单元的欧姆接触，将子单元依次串联；将芯片转移至高热导性的二次衬底上，去除生长衬底，形成高压驱动倒装LED薄膜芯片。本发明在芯片上制作出多个子单元，在子单元之间通过芯片工艺依次串联，实现芯片高电压下工作，而且本发明可以实现晶圆级的粘合和衬底剥离，方法简单、易操作、更利于提高LED芯片的可靠性和产品的生产良率，降低成本，并且本发明将高压驱动倒装LED芯片的生长衬底去除并对GaN出光面进行粗化，更有利于光的提取。

主权项

一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于包括如下步骤：a、在一生长衬底的一表面上生长一外延层，该外延层包括依次生长的n型氮化镓、量子阱和p型氮化镓；b、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p型氮化镓、量子阱和部分的n型氮化镓，露出n型氮化镓；c、光刻去除所述露出n型氮化镓的部分区域至生长衬底，形成沟槽，通过沟槽将外延层分成多个芯片结构，同时将每个芯片结构分成多个独立的子单元；d、在各个子单元的p型氮化镓的表面分别制备一层p面欧姆接触层，该p面欧姆接触层也是反射镜层；e、在各p面欧姆接触层的表面分别制备一层能够将p面欧姆接触层包覆在其内部的金属阻挡层；f、在各金属阻挡层的表面及步骤c中形成的沟槽内制备一层相互连贯的绝缘层，并在沟槽内填充绝缘材料，并通过光刻去除部分区域的绝缘材料和绝缘层；g、在去除了绝缘材料和绝缘层的区域生长一层导电材料，该导电材料和n型氮化镓能够形成欧姆接触，并通过光刻工艺实现相邻子单元的n型氮化镓和p型氮化镓之间的导电连接，形成电路连接层；h、在电路连接层和绝缘层的表面上生长另一层绝缘材料层覆盖整个表面；i、在绝缘材料层上生长一层金属材料层，将二次衬底粘合到金属材料层上；j、去除生长衬底，粗化n型氮化镓；k、制备p焊盘和n焊盘；l、将芯片结构分割开来，完成高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造。