[发明专利]肖特基二极管及工艺方法在审
| 申请号： | 201310729326.3 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752521A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周颖;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽屏蔽型的肖特基二极管，其衬底上具有外延，所述外延中，隔离保护环环绕包围有源区，有源区内具有多个沟槽屏蔽电极，本发明在所述的沟槽底部增加了P阱，沟槽内填充的金属与沟槽内壁之间具有绝缘介质层，沟槽底部没有绝缘介质层，沟槽内的金属与P阱接触连通，通过反向加压时P阱与N型外延层之间形成PN结反偏，沟槽结构形成横向电场，增强器件的抗击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，在衬底上具有外延，外延中具有隔离保护环，所述的隔离保护环环绕包围有源区，在有源区中具有多个沟槽屏蔽电极，其特征在于：所述的沟槽屏蔽电极，其沟槽填充有金属，且沟槽侧壁具有绝缘介质层将填充的金属与外延隔离；所述沟槽底部没有绝缘介质层，沟槽下方具有P阱，沟槽内的金属与下方的P阱直接接触连通。
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