[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310729611.5 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752202A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成倒梯形伪栅结构；移除伪栅结构，以形成倒梯形开口；部分填充所述开口，以形成高k栅介质、金属层和离子缓冲层；进行离子注入，使注入离子分布在金属层或高k栅介质层，实现金属栅功函数调节；去除离子缓冲层；填满所述开口，以形成替代栅极结构。在后栅工艺中，采用离子注入工艺改变金属栅功函数，满足器件对金属栅功函数的要求，工艺简单且易于调节功函数的大小，离子缓冲层一方面可以控制注入离子在金属层或高k栅介质层的分布，另一方面有利于N型与P型半导体器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成倒梯形的伪栅结构；移除伪栅结构，以形成倒梯形的开口；在所述开口的内壁上依次形成高k栅介质层、金属层以及离子缓冲层；进行离子注入，以使得注入离子分布在金属层和/或高k栅介质层；去除离子缓冲层；填满所述开口，以形成替代栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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