[发明专利]一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201310729760.1 申请日: 2013-12-26
公开(公告)号: CN103668095A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 王启民;王成勇;伍尚华;邹长伟 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 刘媖
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及薄膜材料技术领域,尤其涉及一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置,包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座,磁控靶包括高功率脉冲磁控溅射靶和脉冲直流磁控靶,固定在真空室内,呈九十度对向设置,其磁场布局方式相反,形成闭合场;每个磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场。本发明通过以上结构的实施方式,具有较好的磁场分布及离子镀效果,能够方便沉积出膜层结合力好、涂层致密、力学性能好、化学成分精确可控的优质涂层用于高速切削刀具。
搜索关键词: 一种 功率 脉冲 等离子体 增强 复合 磁控溅射 沉积 装置 及其 使用方法
【主权项】:
一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置,其特征在于:包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座;所述真空室为密封结构,其上开设有抽气口,所述抽气口与真空泵连接;所述磁控靶包括一个高功率脉冲磁控溅射靶和三个脉冲直流磁控靶,固定在所述真空室内,呈九十度对向设置,其磁场布局方式相反,形成闭合场;每个所述磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场;所述工件架置于所述磁控靶的磁场内,并且通过所述旋转支座连接在所述真空室的内部,所述旋转支架与所述真空室通过转动机构连接。
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