[发明专利]单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，是采用简单的CVD方法通过控制生长时间等参数，首先在衬底上生长一层高取向的未掺杂n型ZnO微米线，然后在其上继续生长一层Sb掺杂的p型ZnO微米线，从而制备出ZnO微米线的同质结，再从样品衬底底部剥离出单根的微米线，在其两端做好电极，所得微米线直径为10~100μm，长度为1~20mm。不但制备过程简单、成本低，通过对该器件测试表明该器件具有良好的整流特性和极强的发光性能。

主权项

一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，其特征在于依次按如下步骤进行：a.将纯度大于99%的ZnO粉末和C粉按照质量比1～10：1充分混合制成反应源材料，将反应源材料放入石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统石英管的中心处，衬底位于反应源材料下方1~30cm处；b. 通入载气氩气，氩气流量为10~500ml/min，当温度加热至950~1100℃时，通入氧气，氧气流量为1~100ml/min，开始n型ZnO微米线的生长，生长时间为15～30分钟；c. 关闭氧气、保持氩气流量，降温至400～700℃拔掉进气口处的石英帽，把石英舟取出；d. 将纯度大于99%的ZnO粉末和C粉及纯度大于99.9%的Sb2O3粉末按照质量比20：3：1～10充分混合制成反应源材料，再将反应源材料放入另一石英舟内，然后再将此石英舟放入化学气相沉积系统石英管的中心处；e. 当温度加热至950~1100℃时，通入氧气，氧气流量为1~100ml/min，开始p型ZnO微米线的生长，生长时间为20～40分钟；f. 关闭氧气，保持氩气流量，降温至室温，取出样品；g. 从样品衬底底部剥离出单根微米线，分别在单根微米线的两端制作电极，从而制成单根ZnO微米线同质结发光二极管。