[发明专利]一种A位复合取代高压电常数的压电陶瓷材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 201310731182.5 申请日: 2013-12-26
公开(公告)号: CN103724013A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 蹇胜勇;冯小东 申请(专利权)人: 重庆胜普昂凯科技有限公司
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400060 重庆市南岸区南坪花园*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明提供一种A位复合取代高压电常数的压电陶瓷材料,其特征在于:材料的组成为Pb1-e-f-BaeLaf(Ni1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)yZrmTinO3+awt%Al2O3+bwt%Sb2O3+cwt%Fe2O3+dwt%Bi2O3,式中:0.04≤e+f≤0.2,0.05≤x+y≤0.3,且x+y+m+n=1,a=0~0.5,b=0~0.5,c=0~0.5,d=0~0.5,这种压电陶瓷材料的制备方法,包括配料、混料、预烧合成、粉碎细磨、成型、排胶烧结、上电极极化等,这种材料通过A位复合取代,辅之以适当的掺杂配合,使压电常数能够大幅提高,具有相对介电常数εT330、压电常数d33和d31高的特点,其机电耦合系数Kp=0.6~0.75,机械品质因数Qm<50,本发明的材料可应用于多种压电传感器和执行器。
搜索关键词: 一种 复合 取代 高压电 常数 压电 陶瓷材料 制备 方法
【主权项】:
一种A位复合取代高压电常数的压电陶瓷材料,其特征在于:材料的组成为Pb1‑e‑f‑BaeLaf(Ni1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)yZrmTinO3+awt%Al2O3+bwt%Sb2O3+cwt%Fe2O3+dwt%Bi2O3,式中:0.04≤e+f≤0.2,0.05≤x+y≤0.3,且x+y+m+n=1,a=0~0.5,b=0~0.5,c=0~0.5,d=0~0.5。
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