[发明专利]一种检测碳化硅中碳化硅含量的方法

摘要

本发明属于碳化硅检测领域，尤其涉及一种检测碳化硅中碳化硅含量的方法。通过分析碳化硅中所含的结合碳来计算出碳化硅的含量，同时引入高频红外碳硫仪来方便对碳的检测，具有工作简单、效率高的效果。本发明中的检测方法适用于SiC含量在30%-50%之间，且游离碳在15%以上的碳化硅物质；尤其适应于干扰多的碳化硅物料，干扰主要指酸不溶物（并且高温下不分解）的干扰，如α型氧化铝等。本发明中的检测方法重现率高，稳定、准确，符合分析要求，成本低。

主权项

1.一种检测碳化硅中碳化硅含量的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、称量溶解试样：称取试样，放入烧杯中，再加入盐酸溶液，电热板上煮沸1-2分钟，过滤后再用质量浓度的90-100%稀盐酸洗涤烧杯和过滤物5-6次，将洗涤液过滤；步骤二、试样灰化：将过滤后的滤纸和沉淀物转入碳硫坩埚中，在电炉上进行灰化； 步骤三、试样灼烧：灰化后的试样在马弗炉中灼烧2.1-4h，温度810-820℃，灼烧除去试样中所含的游离碳；取出稍冷，放入干燥器中，冷却至室温； 步骤四、测定碳化硅中所含的结合碳的含量：在灼烧后的试样中加入锡粒0.4g，使锡粒坠入试样底部，再加0.5g，纯铁助溶剂覆盖在试样上，再加1.5g钨粒覆盖在纯铁助溶剂上；在高频红外碳硫仪中输入步骤一中称取的试样质量，将加好助溶剂的试样放入高频红外碳硫仪，分析灼烧剩余物的碳含量，即为碳化硅中所含的结合碳的含量； 步骤五、计算出碳化硅的含量：计算公式为：，其中，为碳化硅的百分含量，为碳化硅中结合碳的百分含量；：SiC中C的百分比；通过分析碳化硅中所含的结合碳来计算出碳化硅的含量，以此判断碳化硅产品的质量好坏，碳化碳化硅含量高则产品质量好，碳化碳化硅含量低则产品质量低。