[发明专利]一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法有效
| 申请号： | 201310732192.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103738916B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;宋晨飞;余丙军;陈磊;唐鹏 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法，其具体操作是将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5‑1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构，所需的接触压力不引起基体晶格缺陷，且其操作简单、位置可控、灵活性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 表面 量子 点形核 位置 损伤 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法，其具体操作是：将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5‑1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描；所述的砷化镓为undoped‑GaAs(100)、n‑GaAs(100)、n‑GaAs(111)A或n‑GaAs(111)B。
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