[发明专利]一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法

摘要

本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤S1提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2接着再外延生长一待转移层；S3从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬底的界面以下预设深度；S4提供表面具有绝缘层的基板与所述待转移层键合形成键合片，并在第一预设温度下退火并保持第一预设时间，以使所述掺杂单晶薄膜吸附离子并形成微裂纹；S5再将所述键合片在第二预设温度下退火并保持第二预设时间，剥离得到绝缘体上材料；所述第一预设温度高于所述第二预设温度，所述第一预设时间小于所述第二预设时间。本发明可以减小制备周期，降低成本，且无需经过后续CMP处理。

主权项

一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2：在所述掺杂单晶薄膜表面外延生长一待转移层；S3：从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬底的界面以下预设深度；S4：提供表面具有绝缘层的基板，将所述基板表面的绝缘层与所述待转移层键合形成键合片，并将所述键合片在第一预设温度下退火并保持第一预设时间，以使所述掺杂单晶薄膜吸附离子并形成微裂纹；S5：再将所述键合片在第二预设温度下退火并保持第二预设时间，以实现剥离使得所述待转移层转移至所述基板的绝缘层上，得到绝缘体上材料；所述第一预设温度高于所述第二预设温度，所述第一预设时间小于所述第二预设时间。