[发明专利]一种光伏阵列接地阻抗的检测系统及方法有效

专利信息
申请号: 201310732494.8 申请日: 2013-12-26
公开(公告)号: CN103944506A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 陈林贵;余志勇;童树卫;毛翌春;朱文星 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H02S50/00 分类号: H02S50/00;G01R27/20
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 233010 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种光伏阵列接地阻抗的检测系统及方法,DSP控制逆变器中光伏阵列接地阻抗测试电路是否使能工作,由DSP按逻辑控制继电器(relay),再将测试电压信号由DSP的ADC采样,再经软件中控制算法进行计算,即可测试其接地阻抗值。本发明不仅能检测宽电压范围太阳能电池光伏阵列的接地阻抗值,而且该电路工作状态可受控制。
搜索关键词: 一种 阵列 接地 阻抗 检测 系统 方法
【主权项】:
一种光伏阵列接地阻抗的检测系统,其特征在于:采用接入DSP的检测电路测量光伏阵列接地阻抗,所述检测电路包括三极管V2、功率MOS管V6、V7、V5,所述三极管V2的基极依次通过继电器K1、电阻R7接地,三极管V2的基极还通过电阻R1接入光伏阵列的正极,三极管V2的发射极接入一个稳压二极管V1的阳极,稳压二极管V1的阴极接入光伏阵列的正极,三极管V2的集电极与功率MOS管V6的栅极连接,三极管V2的集电极还通过电阻R2接入一个稳压二极管V3的阳极,稳压二极管V3的阴极接入光伏阵列的正极,功率MOS管V6的源极与三极管V2的基极连接,功率MOS管V6的漏极与功率MOS管V7的源极连接,功率MOS管V7的漏极通过电阻R9接入光伏阵列的负极,所述功率MOS管V7的栅极接入一个稳压二极管D8的阳极,稳压二极管D8的阴极接入功率MOS管V6的漏极,所述功率MOS管V7的源极与漏极之间接入有电阻R5、电阻R6,功率MOS管V7的漏极还依次通过继电器K2、电阻R8接地,所述DSP的读A/D端口与功率MOS管V7的漏极连接,所述功率MOS管V5的源极通过电阻R4接入光伏阵列的负极,功率MOS管V5的栅极接入有继电器K3,K3的另一端与DSP的IO输出口连接,功率MOS管V5的漏极与功率MOS管V7的栅极连接,功率MOS管V7的漏极还通过双向稳压二极管V4、电阻R3接入光伏阵列的正极,所述电阻R2与稳压二极管V3阳极之间有导线引出,引出导线连接至一个稳压二极管V9的阴极,稳压二极管V9的阳极连接至双向稳压二极管V4与电阻R3之间。
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