[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置，所述阵列基板的制造方法特征在于采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极，其中所述有源层和所述第一透明电极由同一金属氧化物层形成，所述源极和漏极位于所述有源层上方，其中所述第一透明电极对应于掩膜板的第一半透光区域，所述薄膜晶体管的沟道区域对应于所述掩膜板的第二半透光区域，所述薄膜晶体管的源极和漏极对应于所述掩膜板的不透光区域，所述掩膜板的第一半透光区域的透光率大于所述掩膜板的第二半透光区域的透光率。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极，其中所述有源层和所述第一透明电极由同一金属氧化物层形成，所述源极和漏极位于所述有源层上方，其中所述第一透明电极对应于掩膜板的第一半透光区域，所述薄膜晶体管的沟道区域对应于所述掩膜板的第二半透光区域，所述薄膜晶体管的源极和漏极对应于所述掩膜板的不透光区域，所述掩膜板的第一半透光区域的透光率大于所述掩膜板的第二半透光区域的透光率；其中，在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极前，还包括：在阵列基板上形成有源层遮光层和所述第一透明电极的引线，其中所述遮光层对应于薄膜晶体管的有源层区域，所述第一透明电极为公共电极；在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极后，还包括：形成覆盖所述源极、漏极和所述第一透明电极的绝缘层；其中，所述绝缘层的上表面与暴露出的所述漏极的上表面平齐。