[发明专利]高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法无效
| 申请号： | 201310732993.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103682074A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 严圣军;李权宪 | 申请（专利权）人： | 江苏天楹环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法，属于热电与半导体制冷和制热技术领域。通过刻蚀具有类钻碳镀膜的金属基板上的导电层，使其裸露出蚀刻图形的线路作为焊盘，将导流片焊接在焊盘上；将分别焊接有导流片的两块具有类钻碳镀膜的金属基板叠层式放置，并将焊接有导流片的具有类钻碳镀膜的金属基板面相对布置；将一个N型半导体制冷颗粒和一个P型半导体制冷颗粒组成一个电偶对，电偶对的一面焊接在所述两块具有类钻碳镀膜的金属基板的一块具有类钻碳镀膜的金属基板的导流片上，该电偶对的另一面焊接在所述两块具有类钻碳镀膜的金属基板的另一块具有类钻碳镀膜的金属基板的导流片上。本发明大大提高了产品的刚性，利于提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 导热性 金属 电路 半导体 制冷 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
高导热性金属电路半导体制冷片，其特征在于至少包括两层叠层式排列的具有类钻碳镀膜的金属基板，在相邻的两层具有类钻碳镀膜的金属基板之间设置若干半导体制冷晶粒和若干导流片，所述导流片分别焊接在类钻碳金属基板上，所述半导体制冷晶粒通过导流片串联电连接。
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