[发明专利]一种非晶硅栅极驱动电路以及平板传感器有效
申请号: | 201310733038.5 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103927958B | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 郑娅洁;凌严 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种非晶硅栅极驱动电路,包含多个级联的移位寄存器,每个移位寄存器包括移位寄存单元,包含多个TFT晶体管和多个电容器,并具有第N输出端(GN)、第N+1输入端(GN+1)、高电压信号端(Vgh)和低电压信号端(Vgl);输出控制单元,具有第N附加输出端(GoutN),输出控制单元用于控制第N附加输出端(GoutN)的高电平输出时间段位于第N输出端(GN)的高电平输出时间段之内。本发明的非晶硅栅极驱动电路,能严格区分相邻两行TFT上一行关闭的下降沿和下一行打开的上升沿,避免了非晶硅栅极驱动电路的延迟产生的串扰问题,而且由于非晶硅栅极驱动电路本身尺寸较小,可以实现面积较小的平板传感器。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 栅极 驱动 电路 以及 平板 传感器 | ||
【主权项】:
一种非晶硅栅极驱动电路,包含多个级联的移位寄存器,其特征在于,第N移位寄存器包括:移位寄存单元,包含多个TFT晶体管和多个电容器,并具有第N输出端、第N+1输入端、高电压信号端和低电压信号端;输出控制单元,具有第N附加输出端,所述输出控制单元用于控制所述第N附加输出端的高电平输出时间段位于所述第N输出端的高电平输出时间段之内,其中,N为大于等于1的正整数;所述输出控制单元包括第一附加TFT晶体管、第二附加TFT晶体管;所述第一附加TFT晶体管的栅极与外部第一时钟信号信号端连接;所述第一附加TFT晶体管的第一电极与所述第N输出端连接,所述第一附加TFT晶体管的第二电极与所述第N附加输出端相连;所述第二附加TFT晶体管的栅极与外部第二时钟信号信号端连接;所述第二附加TFT晶体管的第一电极与所述低电压信号端连接,所述第二附加TFT晶体管的第二电极与所述第N附加输出端相连。
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