[发明专利]模塑互联器件的制备方法在审
申请号: | 201310734197.7 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103700597A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 王红卫;沈文凯 | 申请(专利权)人: | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 孟宏伟 |
地址: | 215011 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种模塑互联器件的制备方法,包括注塑成型,注塑形成模塑互联器件的塑料壳体;激光镭雕,在塑料壳体的表面描绘出电路图形并形成相应的线槽;刻蚀,采用真空等离子体设备将塑料壳体表面的粉尘和污染物进行等离子体刻蚀;吹洗,采用吹洗气体将塑料壳体表面的粉尘和污染物进行吹洗;活化,采用真空等离子体设备将塑料壳体表面进行等离子体活化,使得线槽恢复电镀性能;金属化,将活化后的塑料壳体表面的线槽金属化。本发明将塑料壳体表面的粉尘和外溅污染物进行等离子体刻蚀后吹洗,再进行活化处理,避免粉尘和外溅污染物在金属化工序中产生影响,提高模塑互联器件的合格率,相较于现有技术,省却了人力,提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 模塑互联 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
模塑互联器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:注塑成型,采用注塑机注塑形成模塑互联器件的塑料壳体;激光镭雕,采用激光镭雕机在塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽;刻蚀,采用真空等离子体设备通入刻蚀气体将激光镭雕后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀;吹洗,采用吹洗气体将刻蚀后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行吹洗;活化,采用真空等离子体设备通入活化气体将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化,使得塑料壳体表面的线槽恢复电镀性能;金属化,采用涂镀机将活化后的塑料壳体表面电路图形的线槽金属化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造