[发明专利]一种双尺度孔隙结构的纳米晶二氧化钛薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310734385.X 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103730259A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 李明春;伍阳;李昆;刘鹏 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042;C01G23/053;B82Y30/00
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人: 梁焱
地址: 110178 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于纳米晶太阳能电池的制备技术领域,具体涉及一种双尺度孔隙结构的纳米晶二氧化钛薄膜及其制备方法。双尺度孔隙结构的二氧化钛薄膜,其孔隙结构为1~5nm和100~300nm两种尺度,晶型为锐钛矿纳米晶;其制备方法是以非离子表面活性剂作为软模板,首先将无水乙醇、钛酸四丁酯和有机螯合剂搅拌均匀混合,形成钛酸四丁酯乙醇络合溶液,将乙醇水溶液滴入钛酸四丁酯乙醇络合溶液中,滴定结束后加入非离子表面活性剂,再继续搅拌直至获得浓度为0.3~0.65mol·L-1的二氧化钛溶胶,静止陈化后进行镀膜、焙烧,最终制得具有1~5nm和100~300nm两种尺度孔隙结构的锐钛矿纳米晶二氧化钛薄膜。本发明工艺简单,可大面积在各种不同形状、不同材料的基底上镀膜。
搜索关键词: 一种 尺度 孔隙 结构 纳米 氧化 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双尺度孔隙结构的二氧化钛薄膜,其特征在于孔隙结构为1~5nm和100~300nm两种尺度,晶型为锐钛矿纳米晶。
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