[发明专利]一种超结高压器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种超结高压器件的制造方法。现有器件的电流变能力较弱。一种超结高压器件的制造方法，准备具有N+掺杂衬底的硅片；通过刻蚀工艺形成第一沟槽；用P型外延层填充第一沟槽，填充第一沟槽之外的P型外延层去除掉，形成相间排列的P柱和N柱；通过刻蚀工艺形成第二沟槽；生长N型杂质浓度的外延层来填充第二沟槽；将复合缓冲层的硅片表面上多余的N型外延层去除掉，形成新的相间排列的P柱和N柱；在新的复合缓冲层的硅片表面制造器件的特征层。本发明能够提高器件的耐压及器件的电流能力且可改善器件的可靠性。

主权项

一种超结高压器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：准备具有N+掺杂衬底的硅片，所述衬底上具有N型掺杂的N外延（1）；步骤二：在N型掺杂衬底的硅片表面通过光刻界定出第一沟槽（4）的区域，并通过刻蚀工艺形成第一沟槽（4）；所述第一沟槽（4）宽度为X2，深度为Y2，且满足2X1>X2>X1，2Y1>Y2>Y1，其中，X1为传统沟槽制造工艺形成的沟槽宽度,Y1为其深度；步骤三：在N型掺杂衬底的硅片的表面上，用P型杂质浓度的P型外延层（6）来填充第一沟槽（4），此处填充第一沟槽（4）的杂质浓度为p2，且满足：p2>p1，其中p1为传统填充沟槽的杂质浓度；步骤四：将N型掺杂衬底的硅片的表面上填充第一沟槽（4）之外的P型外延层（6）去除掉，形成相间排列的P柱和N柱，即形成复合缓冲层；步骤五：在复合缓冲层表面通过光刻界定出第二沟槽（5）的区域，并通过刻蚀工艺形成第二沟槽（5），此处第二沟槽（5）的宽度为X3，深度为Y2，满足关系式：X2>X3>X1，2Y1>Y2>Y1,被刻蚀掉的部分包括一部分P柱和一部分N柱，剩余的P柱宽度为X4，深度为Y2，满足关系式：X4<X1；步骤六：在具有复合缓冲层的硅片表面上生长N型杂质浓度的外延层来填充第二沟槽（5）；此处填充的N型外延杂质浓度与N+掺杂衬底的硅片的N型外延层杂质浓度相同；步骤七：将复合缓冲层的硅片表面上多余的N型外延层去除掉，形成相间排列的P柱和N柱，即形成新的复合缓冲层；步骤八：在新的复合缓冲层的硅片表面制造器件的特征层。