[发明专利]一种基于工艺偏差的芯片密钥产生方法及其电路

摘要

本发明公开了一种基于工艺偏差的芯片密钥生成方法，包括设于芯片内的密钥生成阵列，所述密钥生成阵列包括m行×n列个密钥生成单元，其中m、n为大于2的整数；所述密钥生成单元包括两个电阻，以及分别与该两个电阻连接的电阻阻值检测电路；所述两个电阻的类型相同，且由相同的生产工艺制造。本发明还公开了该芯片密钥生产的电路。集成电路芯片制造过程中存在工艺偏差，类型、图形和尺寸完全相同的电阻在被制造出来后其阻值存在一定的随机偏差。本发明使芯片自身产生并存储密钥，且该密钥具有随机性和不可复制性，可降低相关应用的成本以及增强加密的安全性。

主权项

一种基于工艺偏差的芯片密钥生成方法，其特征在于,包括设于芯片内的密钥生成阵列，所述密钥生成阵列包括m行×n列个密钥生成单元，其中m、n为大于2的整数；所述密钥生成单元包括两个电阻，以及分别与该两个电阻连接的电阻阻值检测电路；所述两个电阻的类型相同，且由相同的生产工艺制造；该方法包括以下步骤:步骤一、将芯片上电，向密钥生成单元输入激励信号；步骤二、电阻阻值检测电路检测并比较两个电阻的阻值大小，每个密钥生成单元根据比较的结果输出1位密钥值；步骤三、读取密钥生成阵列中的若干行或若干列密钥值，输出生成芯片密钥。