[发明专利]一种反应腔室及等离子体加工设备在审
| 申请号： | 201310737135.1 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104746078A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;C23F1/12;C23C16/26;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备，包括进气系统，进气系统包括中央进气通道、边缘进气通道、刻蚀气源和沉积气源，其中，中央进气通道的出气端与反应腔室相连通，中央进气通道的进气端与刻蚀气源相连通，由刻蚀气源提供的刻蚀气体经由中央进气通道输送至反应腔室的中心区域；边缘进气通道的出气端与反应腔室相连通，边缘进气通道的进气端与沉积气源相连通，由沉积气源提供的沉积气体经由边缘进气通道输送至反应腔室的边缘区域。本发明提供的反应腔室，其不仅可以在很大程度上提高深硅刻蚀工艺的刻蚀均匀性，从而可以提高工艺质量；而且可以避免刻蚀气体和沉积气体混合，从而可以避免刻蚀气体和沉积气体混合带来的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括进气系统，其特征在于，所述进气系统包括中央进气通道、边缘进气通道、刻蚀气源和沉积气源，其中所述中央进气通道的出气端与所述反应腔室相连通，所述中央进气通道的进气端与所述刻蚀气源相连通，由所述刻蚀气源提供的刻蚀气体经由所述中央进气通道输送至所述反应腔室的中心区域；所述边缘进气通道的出气端与所述反应腔室相连通，所述边缘进气通道的进气端与所述沉积气源相连通，由所述沉积气源提供的沉积气体经由所述边缘进气通道输送至所述反应腔室的边缘区域。
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