[发明专利]一种等离子刻蚀装置在审
| 申请号： | 201310737139.X | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752132A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 汪建平;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 彭秀丽,穆瑞丹 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种等离子刻蚀装置，包括反应腔室（1）、上部电极（4）、下部电极（5）、气体输入系统、真空获得系统、刻蚀终点检测器、主控制台和调节机构，下部电极（5）的四周设置有排气板（6），所述排气板（6）上具有若干间隔分布的排气孔（8），所述调节机构用于根据刻蚀负载进行调节所述排气孔（8）的通气面积。本发明的等离子刻蚀装置，能够根据刻蚀负载具体情况进行灵活调节排气方式，被加工TFT基板的刻蚀均匀性大大提高，加工后的TFT基板产品质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀装置，包括反应腔室（1）；上部电极（4）、下部电极（5），设置于所述反应腔室（1）内，所述下部电极（5）的四周设置有排气板（6），所述排气板（6）上具有若干间隔分布的排气孔（8）；气体输入系统，设置于所述反应腔室（1）外部，通过气体输入孔（2）向所述反应腔室（1）内输入加工气体；真空获得系统，设置于所述反应腔室（1）外部，通过排气口（7）将反应生成物抽出所述反应腔室（1）；刻蚀终点检测器，设置于所述反应腔室（1）内；主控制台，用于控制所述等离子刻蚀装置的运行；其特征在于：还包括调节机构，设置于所述反应腔室（1）内，用于根据刻蚀负载进行调节所述排气孔（8）的通气面积。
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