[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310737218.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752515B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 敖伟;朱少鹏;刘金强;罗志忠;习王锋 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明所述的一种薄膜晶体管，包括依次堆叠设置在衬底上的金属氧化物半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源/漏电极层，其中第一绝缘层和/或第二绝缘层为由金属层氧化后得到的金属氧化物层，该金属氧化物层具有绝缘性能。金属层在氧化过程中会吸收金属氧化物半导体层中的部分氧离子，可降低金属氧化物半导体层中的氧含量，提高其导电性能，有效减少金属氧化物半导体层与源/漏极接触区的接触电阻。同时，本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法，通过金属层的氧化就可以有效降低金属氧化物半导体层与源/漏极接触区的接触电阻，不但工艺简单，而且大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括依次堆叠设置在衬底上的金属氧化物半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源/漏电极层，其特征在于，所述第一绝缘层和/或第二绝缘层为由金属层氧化后得到的金属氧化物层，至少部分所述金属氧化物层通过无氧退火处理得到，所述金属氧化物层具有绝缘性能。
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