[发明专利]ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201310737277.8 | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104752569A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王宽冒;耿波;荣延栋;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法，该ITO薄膜的制备方法至少包括以下步骤：步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层；步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积ITO电流扩散层。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，不仅可以降低LED芯片的驱动电压，而且可以提高工艺效率和提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 及其 制备 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种ITO薄膜的制备方法，所述ITO薄膜包括ITO界面层和ITO电流扩散层，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以在P‑GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的所述ITO界面层；步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层。
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