[发明专利]一种激光退火装置及方法在审
| 申请号： | 201310737461.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752174A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 程蕾丽 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B23K26/06 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种激光退火装置，包括一工件台，用于承载一硅片；一激光光源，用于提供一退火激光光束；一光束整形单元，用于将所述激光光束入射至所述硅片，所述光束整形单元还包括一微镜阵列，用于对激光光束的功率在空间上进行重新分布。本发明同时公开了一种激光退火方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光退火装置，其特征在于，包括：一工件台，用于承载一硅片；一激光光源，用于提供一退火激光光束；一光束整形单元，用于将所述激光光束入射至所述硅片，所述光束整形单元还包括一微镜阵列，用于对激光光束的功率在空间上进行重新分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
