[发明专利]一种溅射系统在审
| 申请号： | 201310737548.X | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104746031A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射系统，包括腔室、溅射源和基座，等离子体产生于所述腔室内，所述基座用于承载基片，包括至少一对所述溅射源，每对所述溅射源相对设置，所述基座设于所述腔室内且位于等离子体区域之外。该溅射系统溅射速率高，对薄膜的损伤小，以及可以实现低温溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 系统 | ||
【主权项】：
一种溅射系统，包括腔室、溅射源和基座，等离子体产生于所述腔室内，所述基座用于承载基片，其特征在于，包括至少一对所述溅射源，每对所述溅射源相对设置，所述基座设于所述腔室内且位于等离子体区域之外。
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