[发明专利]基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310738017.2 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715256B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 程凯;陈洪维 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法，所述器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构，以及在外延多层结构上形成的栅极、源极和漏极；在所述栅极下方的异质结结构层中采用隧道注入的方法注入有氟离子，用于耗尽异质结结构层中的二维电子气。本发明通过在栅极下方的外延多层结构中用隧道注入的方法进行氟离子注入，耗尽栅极下异质结处的二维电子气，从而实现增强型的氮化镓器件。同时，通过高温退火去除不稳定的氟离子，并恢复晶格在氟离子注入时引起的损伤，采用晶态介质层对高温退火时的氮化物材料表面进行保护。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 注入 增强 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氟离子注入的增强型器件，所述器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构，以及在外延多层结构上形成的栅极、源极和漏极，其特征在于：所述外延多层结构从衬底方向向上依次包括异质结结构层和介质层；所述异质结结构层包括氮化物沟道层和氮化物势垒层；所述介质层为晶态介质层；在所述栅极下方的异质结结构层中采用隧道注入的方法注入有氟离子，用于耗尽异质结结构层中的二维电子气。
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