[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310738342.9 | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104752153A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李宗兴;谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤主刻蚀步骤，向反应腔室中通入主刻蚀气体和辅助气体，所述辅助气体为可提高轰击性和/或刻蚀选择比的气体或气体组合，并随着本步骤的工艺时间的增加，按预定规则调节一种或多种工艺参数；形貌修饰步骤，用于修饰基片上刻蚀图形的形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其在能够获得理想的基片上刻蚀图形的形貌的前提下，可以提高工艺的可移植性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室中通入主刻蚀气体和辅助气体，所述辅助气体为可提高轰击性和/或刻蚀选择比的气体或气体组合，并随着本步骤的工艺时间的增加，按预定规则调节一种或多种工艺参数；形貌修饰步骤，用于修饰基片上刻蚀图形的形貌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
