[发明专利]一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元无效
| 申请号： | 201310738425.8 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103698721A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 潘红兵;何书专;李丽 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 陈扬 |
| 地址： | 210093 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元，其特征在于包括至少一个用于检测Z方向磁感应分量的水平霍尔器件和若干个用于检测X和Y方向磁感应分量的垂直霍尔器件，所述水平霍尔器件与垂直霍尔器件通过分布组合的方式设于CMOS片上。有益效果为：能够在100um*100um以内的芯片上以低成本实现精确测量某点磁通量密度B矢量的大小和方向；还能把信号调理电路与传感单元以最近的方式连接，对降低噪声和提高灵敏度极其有利；同时能把数字信号处理部分集成在同一芯片内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 三维 微型 检测 传感器 霍尔 传感 单元 | ||
【主权项】：
一种CMOS片上三维微型磁检测传感器的霍尔传感单元，其特征在于包括至少一个用于检测Z方向磁感应分量的水平霍尔器件和若干个用于检测X和Y方向磁感应分量的垂直霍尔器件，所述水平霍尔器件与垂直霍尔器件通过分布组合的方式设于CMOS片上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310738425.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于增强型定位的分布式天线系统和方法
- 下一篇：一种X光摄影用人体固定装置
